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申请/专利权人:住友电气工业株式会社
申请日:2016-07-21
公开(公告)日:2018-05-11
公开(公告)号:CN108026662A
专利技术分类:..碳化物[2006.01]
专利摘要:碳化硅基板包含碳面侧主面和硅面侧主面。所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上。所述碳面侧主面和所述硅面侧主面相对于{0001}面的偏角为4°以下。所述碳面侧主面中的氮浓度高于所述硅面侧主面中的氮浓度,并且所述碳面侧主面与所述硅面侧主面之间的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。
专利权项:一种碳化硅基板,其包含碳侧主面和硅侧主面,其中所述碳化硅基板具有4H晶体结构并且含有氮,其中所述碳化硅基板的直径为100mm以上并且厚度为300μm以上,其中所述碳侧主面和所述硅侧主面的相对于{0001}面的偏角为4°以下,并且其中所述碳侧主面中的氮浓度高于所述硅侧主面中的氮浓度,并且所述碳侧主面的拉曼峰位移与所述硅侧主面的拉曼峰位移之差为0.2cm‑1以下。
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