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申请/专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日：2020-06-22
公开（公告）日：2023-04-07
公开（公告）号：CN113897685B
专利技术分类：...在其他无机物基体上[2006.01]
专利摘要：本发明提供了碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件，该碳化硅籽晶包括：碳化硅籽晶本体；碳化硅过渡层，所述碳化硅过渡层覆盖在所述碳化硅籽晶本体的背面上；碳层，所述碳层覆盖在所述碳化硅过渡层远离所述碳化硅籽晶本体的表面上。该碳化硅籽晶可以有效避免背面蒸发问题，提高生长晶体的质量的同时，相邻两层之间的结合力强，脱落风险显著降低。
专利权项：1.一种碳化硅籽晶，其特征在于，包括：碳化硅籽晶本体；碳化硅过渡层，所述碳化硅过渡层覆盖在所述碳化硅籽晶本体的背面上；碳层，所述碳层覆盖在所述碳化硅过渡层远离所述碳化硅籽晶本体的表面上，其中在所述碳化硅过渡层朝向所述碳化硅籽晶本体的方向上，所述碳化硅过渡层中的碳原子和硅原子的原子个数比逐渐减小，在靠近所述碳化硅籽晶本体的表面处，所述碳化硅过渡层中的碳原子和硅原子的原子个数比约为1:1；所述碳化硅过渡层的厚度为0.1～0.5μm，所述碳层的厚度为2～7μm。
百度查询： 比亚迪股份有限公司 碳化硅籽晶和碳化硅籽晶组件
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