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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2010-09-28
公开（公告）日：2012-01-25
公开（公告）号：CN102334176A
专利技术分类：.半导体器件或其部件的制造或处理[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种碳化硅衬底81，其具有衬底区域R1和支撑部30。该衬底区域R1具有第一单晶衬底11。支撑部30连接到第一单晶11的第一背面B1。第一单晶衬底11的位错密度小于支撑部30的位错密度。衬底区域R1和支撑部30中的至少一个具有空洞。
专利权项：一种碳化硅衬底81，其包括：衬底区域R1，所述衬底区域R1包括第一单晶衬底11，所述第一单晶衬底具有彼此相反的第一正面F1和第一背面B1、以及连接所述第一正面和所述第一背面的第一侧面S1；以及，支撑部30，所述支撑部30与所述第一背面相接合；其中，所述第一单晶衬底的位错密度低于所述支撑部的位错密度，并且所述衬底区域和所述支撑部中的至少一个具有空洞。
百度查询： 住友电气工业株式会社 碳化硅衬底
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