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申请/专利权人:住友电气工业株式会社
申请日:2015-08-31
公开(公告)日:2021-03-19
公开(公告)号:CN112531019A
专利技术分类:...除掺杂材料或其他杂质外,只包括以游离态存在的周期系中Ⅳ族元素的[2006.01]
专利摘要:本发明涉及碳化硅衬底。所述碳化硅衬底具有主表面,所述主表面具有小于或等于0.1nm的表面粗糙度Ra,以及所述主表面包含钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬,在所述主表面中,钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬各自具有小于或等于1.0×1012原子cm2的浓度,其中,在所述主表面中的钒、钨、钼、铂和锆中的每一个具有大于或等于1.0×106原子cm2的浓度。
专利权项:1.一种碳化硅衬底,所述碳化硅衬底具有主表面,所述主表面具有小于或等于0.1nm的表面粗糙度Ra,以及所述主表面包含钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬,在所述主表面中,钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬各自具有小于或等于1.0×1012原子cm2的浓度,其中,在所述主表面中的钒、钨、钼、铂和锆中的每一个具有大于或等于1.0×106原子cm2的浓度。
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