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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2018-04-03
公开（公告）日：2020-01-03
公开（公告）号：CN110651072A
专利技术分类：..碳化物[2006.01]
专利摘要：碳化硅衬底具有第一主面和第二主面，并由具有4H多型的碳化硅构成。第一主面的最大直径大于或等于150mm。所述第一主面对应于相对于{0001}面在11‑20方向上倾斜大于0°且小于或等于4°的面。所述碳化硅衬底的TTV小于或等于3μm。所述第一主面包含第一中心区域，所述第一中心区域被各边为90mm的正方形围绕。所述第一中心区域的对角线的交点与所述第一主面的中心重合。所述第一中心区域由九个正方形区域构成，各个正方形区域的各个边为30mm。所述九个正方形区域中的最大LTV小于或等于1μm。第二中心区域中的算术平均粗糙度Sa小于或等于0.1nm，所述第二中心区域被以所述交点为中心并且各个边为250μm的正方形围绕。
专利权项：1.一种碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包含第一主面和与所述第一主面相反的第二主面，所述碳化硅衬底由具有4H多型的碳化硅构成，其中所述第一主面的最大直径大于或等于150mm，所述第一主面对应于相对于{0001}面在11-20方向上倾斜大于0°且小于或等于4°的面，所述碳化硅衬底的TTV小于或等于3μm，所述第一主面包含第一中心区域，所述第一中心区域被各边为90mm的正方形围绕，并且所述第一中心区域的对角线的交点与所述第一主面的中心重合，所述第一中心区域由九个正方形区域构成，各个正方形区域的各个边为30mm，所述九个正方形区域中的最大LTV小于或等于1μm，并且第二中心区域中的算术平均粗糙度Sa小于或等于0.1nm，所述第二中心区域被以所述交点为中心并且各个边为250μm的正方形围绕。
百度查询： 住友电气工业株式会社 碳化硅衬底和碳化硅外延衬底
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