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申请/专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日：2011-08-19
公开（公告）日：2016-06-08
公开（公告）号：CN103069544B
专利技术分类：.....应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如合金扩散工艺方法[2006.01]
专利摘要：本发明涉及用于制造p-掺杂硅层，尤其是由液体含硅烷配制品制成的那些硅层的方法。本发明还涉及涂有p-掺杂硅层的衬底。此外，本发明涉及基于硼化合物的特定掺杂物用于硅层的p-掺杂的用途。
专利权项：用于制造至少一层布置在衬底上的p‑掺杂硅层的方法，其包括以下步骤：a 提供衬底，b 提供配制品，所述配制品含有至少一种硅化合物和作为掺杂物的选自硼氢化剂的至少一种化合物，所述选自硼氢化剂的化合物选自a 具有络合剂的BH3‑络合物，所述络合剂选自THF；NR3，其中R = H、烷基、芳基，和SR'2，其中R' = H、烷基、芳基；或b BxCxnH2xn‑x类型的化合物，其中x = 1‑4且n = 3‑10，其通过a中定义的BH3‑络合物与环二烯的反应制备，c 将所述配制品施加到衬底上，d 照射和或热处理经涂覆的衬底，形成p‑掺杂的主要由硅构成的层。
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