龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日：2005-06-10
公开（公告）日：2006-01-04
公开（公告）号：CN1716539A
专利技术分类：......产生离子注入的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。
专利权项：1、一种掺杂装置，其特征在于，包括产生与离子流流向垂直的方向的截面为线状或长方形的所述离子流的单元，对衬底照射离子流的单元，以及一面使所述衬底为对垂线倾斜的姿态保持不变，一面使所述衬底进行单向移动的衬底位置控制单元，对所述进行移动且姿态倾斜的衬底，照射所述离子流。
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 掺杂装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号