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腐蚀多孔硅用的腐蚀液以及、使用该腐蚀液的腐蚀方法专利

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申请/专利权人:佳能株式会社

申请日:1992-02-15

公开(公告)日:1998-03-11

公开(公告)号:CN1037727C

专利技术分类:......化学或电处理,例如电解腐蚀(形成绝缘层的入H01L21/31;绝缘层的后处理入H01L21/3105)[2006.01]

专利摘要:本发明涉及多孔硅腐蚀液和使用该腐蚀液选择性腐蚀多孔硅的方法。该腐蚀液包括一由氢氟酸和醇及双氧水中至少一种组成的溶液,或一由缓冲氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液,其优点在于,使用本发明的腐蚀液及腐蚀方法不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀。

专利权项:1.一种从衬底上选择性腐蚀多孔硅的腐蚀液,所述衬底由多孔硅和非多孔硅构成,其特征在于:这种腐蚀液包括一由氢氟酸和醇及双氧水中至少一种组成的溶液,或一由缓冲氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液。

百度查询: 佳能株式会社 腐蚀多孔硅用的腐蚀液以及、使用该腐蚀液的腐蚀方法

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