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申请/专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

申请日：2014-12-17

公开（公告）日：2019-06-14

公开（公告）号：CN105762113B

专利技术分类：....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路[2006.01]

专利摘要：本发明提供一种MOS电路制造方法及MOS电路，其中方法包括：在衬底上形成阱区，在所述阱区上形成氧化层；在所述氧化层上淀积未掺杂的多晶硅膜层；对所述多晶硅膜层进行第一掺杂；对所述多晶硅膜层进行光刻、刻蚀，形成第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻；对所述第二多晶硅电阻的一侧进行第二掺杂；其中，所述第二掺杂的浓度大于所述第一掺杂的浓度；所述第一掺杂为N掺杂，第二掺杂为P掺杂；或者，所述第一掺杂为P掺杂，第二掺杂为N掺杂。本发明提供的MOS电路制造方法及MOS电路中，二极管和电阻仅用两次掺杂工艺即可形成，不需要对二极管和电阻分别设置光刻、掺杂工艺，能够提高MOS电路的制造效率，并且降低工艺成本。

专利权项：1.一种MOS电路制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成阱区，在所述阱区上形成氧化层；在所述氧化层上淀积未掺杂的多晶硅膜层；对所述多晶硅膜层进行第一掺杂；对所述多晶硅膜层进行光刻、刻蚀，形成第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻；对所述第二多晶硅电阻的一侧进行第二掺杂；其中，所述第二掺杂的浓度大于所述第一掺杂的浓度；所述第一掺杂为N掺杂，第二掺杂为P掺杂；或者，所述第一掺杂为P掺杂，第二掺杂为N掺杂；所述氧化层包括栅氧化层和场氧化层；在对所述多晶硅膜层进行第一掺杂之后，还包括：对所述栅氧化层表面的多晶硅膜层进行第三掺杂；所述对所述多晶硅膜层进行光刻、刻蚀，形成第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻，具体包括：对所述多晶硅膜层进行光刻、刻蚀，在所述场氧化层上形成第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻，在所述栅氧化层上形成多晶硅栅；所述阱区包括N阱和P阱；所述在所述阱区上形成氧化层，具体包括：在所述N阱和P阱上分别形成栅氧化层，在所述栅氧化层之间形成场氧化层；所述在所述栅氧化层上形成多晶硅栅，具体包括：在所述N阱和P阱的栅氧化层上分别形成多晶硅栅。

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