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MOS开关专利

发布时间:2018-11-26 14:05:49 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> MOS开关

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申请/专利权人:快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司

申请日:2013-05-31

公开(公告)日:2013-12-18

公开(公告)号:CN103457588A

专利技术分类:...应用场效应晶体管的[2006.01]

专利摘要:本申请公开了一种开关电路,包括:开关,其具有:被配置为将第一节点连接至第二节点的低阻态,以及被配置为使所述第一节点与所述第二节点隔离的高阻态;以及判优电路,被配置为接收电源电压以及输入信号,在输出端提供所述电源电压和所述输入信号二者中的较高电压,以及在所述输入信号的电压低于所述电源电压时,使所述输入信号与地隔离。

专利权项:一种开关系统,包括:开关,其具有:低阻态,被配置为将第一节点处的输入信号连接至第二节点;以及,高阻态,被配置为使所述第一节点处的所述输入信号与所述第二节点隔离;以及判优电路,被配置为在输入端接收电源电压以及所述输入信号,以及在输出端提供所述电源电压和所述输入信号二者中的较高电压;其中,所述判优电路被配置为在所述输入信号的电压低于所述电源电压时,使所述输入信号与地隔离。

百度查询: 快捷半导体(苏州)有限公司 快捷半导体公司 MOS开关

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