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申请/专利权人：佛山市尼博微电子有限公司
申请日：2022-08-30
公开（公告）日：2023-03-14
公开（公告）号：CN218633686U
专利技术分类：.为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路[2006.01]
专利摘要：本申请涉及半导体技术领域，并公开了一种低压MOS管选择电路及低压MOS管，该电路包括内部电压处理模块、特制开关、电压比较器、选择开关和低压MOS管模块；所述内部电压处理模块的第一输出端与所述特制开关连接，所述特制开关还与所述低压MOS管模块连接，所述内部电压处理模块用于提供比较电压；所述电压比较器与所述特制开关、所述低压MOS管模块和所述选择开关连接，所述电压比较器用于通过所述比较电压确定所述选择开关的导通信息；所述选择开关与所述低压MOS管模块连接，所述选择开关用于根据所述导通信息控制所述低压MOS管模块的工作状态。本申请提高了低压MOS管的使用功能性。
专利权项：1.一种低压MOS管选择电路，其特征在于，所述低压MOS管选择电路包括内部电压处理模块、特制开关、电压比较器、选择开关和低压MOS管模块；所述内部电压处理模块的第一输出端与所述特制开关连接，所述特制开关还与所述低压MOS管模块连接，所述内部电压处理模块用于提供比较电压；所述电压比较器与所述特制开关、所述低压MOS管模块和所述选择开关连接，所述电压比较器用于通过所述比较电压确定所述选择开关的导通信息；所述选择开关与所述低压MOS管模块连接，所述选择开关用于根据所述导通信息控制所述低压MOS管模块的工作状态。
百度查询： 佛山市尼博微电子有限公司 低压MOS管选择电路及低压MOS管
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