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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日：2014-12-23
公开（公告）日：2015-05-13
公开（公告）号：CN204332966U
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本申请提供了一种MOS器件，包括硅片基体，设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环，其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。本申请只需设置第一分压环和第二分压环，并通过将第一分压环与源极金属连接，使第一分压环在通电状态下成为与源极电压相等的等位环。这种方式在与现有技术采用电阻率相同的衬底的情况下提高了MOS器件反向击穿压。解决了MOS器件在保证低导通电阻的情况下实现高击穿压的问题。
专利权项：一种MOS器件，包括硅片基体；设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环；其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十七研究所 MOS器件
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