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申请/专利权人：重庆吉芯科技有限公司
申请日：2024-09-09
公开（公告）日：2025-01-03
公开（公告）号：CN119250005A
专利技术分类：...平面规划或布局，例如,分区或放置[2020.01]
专利摘要：本申请公开了一种MOS器件版图设计方法、MOS器件版图及MOS器件，所述设计方法包括：调用多个第一版图；将所述多个第一版图中的一个或多个转换为第二版图；其中，所述第一版图与所述第二版图为构成MOS器件的版图。本申请通过在无法调用新的版图中将已经调用的版图进行转换，能同时满足两种版图的需求，实现两种版图的高效转换，减少了工作量，提高了工作效率，具有高效性。
专利权项：1.一种MOS器件版图设计方法，其特征在于，所述设计方法包括：调用多个第一版图；将所述多个第一版图中的一个或多个转换为第二版图；其中，所述第一版图与所述第二版图为构成MOS器件的版图。
百度查询： 重庆吉芯科技有限公司 一种MOS器件版图设计方法、MOS器件版图及MOS器件
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