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CoZn-S纳米颗粒穿插在石墨烯中的复合薄膜电极制备方法及其应用 

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申请/专利权人:江苏大学

摘要:本发明属于复合电极材料制备技术领域,涉及一种CoZn‑S纳米颗粒穿插在石墨烯中(rGO@CoZn‑S)的复合薄膜电极制备方法及其应用于超级电容器。本发明首先配制CoNO32和ZnNO32溶液以体积比1:2~2:1混合搅拌均匀,加入经超声分散均匀的0.4molL2‑甲基咪唑溶液混合均匀得到CoZn‑MOF悬浊液;然后量取所制得的CoZn‑MOF悬浊液加入石墨烯溶液中静置,真空抽滤得GO@CoZn‑MOF夹心状复合薄膜;最后将硫代乙酰胺与无水乙醇超声分散均匀,转移至反应釜并浸入GO@CoZn‑MOF复合薄膜,90℃~120℃恒温1~3h,冷却至室温,取出洗净,真空干燥即得。本发明以石墨烯作为基底很大程度上增强了材料的柔韧性和导电性,同时CoZn‑MOF衍生的CoZn‑S纳米颗粒直接在石墨烯表面原位生长,可用作电极材料,避免了粘合剂和导电剂的使用。

主权项:1.一种CoZn-S纳米颗粒穿插在石墨烯中的复合薄膜电极制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、分别配制摩尔浓度为0.05molL的CoNO32溶液、0.025molLZnNO32溶液,超声均匀,将配制好的CoNO32和ZnNO32溶液以体积比1:2~2:1混合搅拌均匀,再加入经超声分散均匀的0.4molL2-甲基咪唑溶液混合均匀得到CoZn-MOF悬浊液,其中所述2-甲基咪唑溶液与混合溶液的体积比为1:1~2;步骤2、按照石墨烯与去离子水的固液比为1~2mg:5mL的比例,将带负电荷的石墨烯均匀分散在去离子水中,量取所制得的CoZn-MOF悬浊液加入石墨烯溶液中静置60min,所述CoZn-MOF悬浊液与石墨烯溶液的体积比为5~9:50,真空抽滤得GO@CoZn-MOF夹心状复合薄膜;步骤3、硫代乙酰胺与无水乙醇以固液比为1~2mg:1~3mL超声分散均匀,转移至反应釜并浸入GO@CoZn-MOF复合薄膜,90℃~120℃恒温1~3h,自然冷却至室温,取出,用去离子水和乙醇交替洗净,真空60℃干燥24h得到rGO@CoZn-S复合薄膜电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏大学 CoZn-S纳米颗粒穿插在石墨烯中的复合薄膜电极制备方法及其应用

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