龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延氧化镓薄膜的方法，包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备AlxGa1‑x2O3缓冲层；在所述AlxGa1‑x2O3缓冲层表面上制备Ga2O3薄膜层。本发明所提供的碳化硅外延氧化镓薄膜的制备方法首先在碳化硅衬底层表面形成AlxGa1‑x2O3缓冲层，从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷，然后又在AlxGa1‑x2O3缓冲层表面形成Ga2O3薄膜层，从而提高后续生长的Ga2O3薄膜层的结晶度，最终实现了在碳化硅衬底层上制备高结晶的Ga2O3薄膜材料的结构。
主权项：1.一种碳化硅外延氧化镓薄膜方法，其特征在于，包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备AlxGa1-x2O3缓冲层；在所述AlxGa1-x2O3缓冲层表面上制备Ga2O3薄膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 碳化硅外延氧化镓薄膜方法及碳化硅外延氧化镓薄膜结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号