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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请涉及半导体器件制造领域，公开了一种半导体衬底浅沟槽制作方法及结构，方法包括：1提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有掩膜层，所述掩膜层具有第一刻蚀窗口，所述第一刻蚀窗口定义出浅沟槽的形状和位置；2进行循环刻蚀的主刻蚀步骤，包括通过所述第一刻蚀窗口对所述半导体衬底进行深化刻蚀，以形成在所述半导体衬底内的沟槽结构以及在所述沟槽结构底部的底部刻蚀副产物；3进行循环刻蚀的底部穿透步骤，包括去除所述底部刻蚀副产物；4进行循环刻蚀的槽壁保护步骤，包括在所述沟槽结构的侧壁上形成侧壁氧化层；5循环执行步骤2至步骤4，直至所述沟槽结构的深度达到预设深度，以在所述半导体衬底内形成所述浅沟槽。
主权项：1.一种半导体衬底浅沟槽制作方法，其特征在于，包括：1提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有掩膜层，所述掩膜层具有第一刻蚀窗口，所述第一刻蚀窗口定义出浅沟槽的形状和位置；2进行循环刻蚀的主刻蚀步骤，包括通过所述第一刻蚀窗口对所述半导体衬底进行深化刻蚀，以形成在所述半导体衬底内的沟槽结构以及在所述沟槽结构底部的底部刻蚀副产物；3进行循环刻蚀的底部穿透步骤，包括去除所述底部刻蚀副产物；4进行循环刻蚀的槽壁保护步骤，包括在所述沟槽结构的侧壁上形成侧壁氧化层；5循环执行步骤2至步骤4，直至所述沟槽结构的深度达到预设深度，以在所述半导体衬底内形成所述浅沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体衬底浅沟槽制作方法及半导体衬底浅沟槽结构
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