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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法、半导体器件。本发明中，存储器的形成方法包括在衬底上、相邻位线组合结构之间形成牺牲层图案，牺牲层图案在位线组合结构之间定义衬底上的多个接触区；节点接触形成在接触区上；去除牺牲层图案，形成第二空腔；之后形成绝缘封盖层搭接在相邻的位线组合结构的顶部，并遮盖封闭第二空腔的顶部开口，以利用绝缘封盖层和相邻的位线组合结构界定出多个在节点接触之间的隔离腔。因此，制备过程简单，而且形成的隔离腔结构中的间隙均匀，从而有效的控制了寄生电容，由此获得的器件，性能得以提高。
主权项：1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供前端结构，包括衬底及突起地设置于所述衬底上的多条位线组合结构；于所述衬底上形成牺牲层图案，所述牺牲层图案至少图案化填充在相邻所述位线组合结构之间以定义所述衬底上的多个接触区；设置多个节点接触在所述衬底上的接触区，所述节点接触容置於由所述位线组合结构和所述牺牲层图案交错形成的多个第一空腔中并与底层的所述衬底电性接触；去除所述牺牲层图案，以形成在所述节点接触之间的第二空腔；以及形成绝缘封盖层在所述前端结构上，所述绝缘封盖层搭接在相邻的所述位线组合结构的顶部，并遮盖封闭所述第二空腔的顶部开口，以利用所述绝缘封盖层和相邻的所述位线组合结构界定出多个在所述节点接触之间的隔离腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器及其形成方法、半导体器件
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