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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：提供一种半导体器件，包括至少一个互连结构，包括：衬底，衬底具有上表面和与上表面相对的下表面；位于衬底下表面的第一绝缘介质层；位于衬底上表面的第二绝缘介质层；第一连接垫，设置于第一绝缘介质层中；金属连接件，贯穿第一绝缘介质层的第一部份、衬底及第二绝缘介质层的第二部份，以连接第一连接垫，环绕孔形成于金属连接件的周围并贯穿衬底；内衬介质层，形成于环绕孔中，内衬介质层的膜厚度小于环绕孔由第一表面至第二表面的间隙二分之一，以形成空气间隙；内衬封盖，形成于内衬介质层上，以气闭密封空气间隙，空气间隙围绕金属连接件；以及第二连接垫，设置于第二绝缘介质层中并位于内衬封盖上，第二连接垫连接金属连接件。
主权项：1.一种半导体器件，包括至少一个互连结构，其特征在于，所述互连结构包括：衬底，所述衬底具有上表面和与所述上表面相对的下表面；位于所述衬底下表面的第一绝缘介质层；位于所述衬底上表面的第二绝缘介质层；第一连接垫，设置于所述第一绝缘介质层中；金属连接件，贯穿所述第一绝缘介质层的第二部份、所述衬底及所述第二绝缘介质层的第一部份，以连接所述第一连接垫，环绕孔形成于所述金属连接件的周围，所述环绕孔至少显露所述金属连接件的第一表面、显露所述衬底的第二表面和底面；内衬介质层，形成于所述环绕孔中并覆盖所述第一表面、所述第二表面和所述底面，所述内衬介质层的膜厚度小于所述环绕孔由所述第一表面至所述第二表面的间隙二分之一，以形成空气间隙；内衬封盖，形成于所述内衬介质层上，以气闭密封所述空气间隙，所述空气间隙围绕所述金属连接件；以及第二连接垫，设置于所述第二绝缘介质层中并位于所述内衬封盖上，所述第二连接垫连接所述金属连接件。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其制备方法
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