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申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；设于所述衬底中的源极区，具有第一导电类型；设于所述衬底中的体引出区，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多晶硅栅，设于所述衬底上；所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列组成第一区域，所述源极区和体引出区在第一区域内互补，所述体引出区在所述多晶硅栅的下表面的正投影为矩形以外的形状。本发明通过将体引出区在多晶硅栅的下表面的正投影设置为矩形以外的形状，可以减小体引出区在多晶硅栅的下表面的正投影面积，相应地增大了源极区与多晶硅栅侧边附近重合的区域的面积，进而提高器件的导通电流。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；设于所述衬底中的源极区，具有第一导电类型；设于所述衬底中的体引出区，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多晶硅栅，设于所述衬底上；所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列组成第一区域，所述源极区和体引出区在第一区域内互补，所述体引出区在所述多晶硅栅的下表面的正投影为矩形以外的形状。
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权利要求：
百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 半导体器件及其制造方法
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