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申请/专利权人：广东工业大学
摘要：本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法，Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤：S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧，冷却后得到混合物；锗单质与钙单质的质量比为1：0.4～0.8；S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合，在真空条件下搅拌反应40～55h，洗涤，超声处理，所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能，可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。
主权项：1.一种二维层状异质结Ge-GeH的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧，冷却后得到混合物；锗单质与钙单质的质量比为1：（0.4~0.8）；S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合，真空条件下搅拌反应，洗涤，超声处理，所得即为二维层状异质结Ge-GeH；所述冷却工艺为以1~3℃min的速率降温至550~450℃，再以2~4℃min的速率冷却至室温；所述煅烧工艺为在真空条件下以3~5℃min的速率升温至1000~1200℃，保温20~24h；所述搅拌反应温度为-20~-40°C，时间为40~48h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法
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