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申请/专利权人：西安工业大学
摘要：本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为：CVD法制备石墨烯；干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体；激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2；制备石墨烯透明上电极；磁控溅射镀制金属电极。本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能，硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用，使得该探测器具有灵敏度高，器件结构简单，实用性强的优点。同时，制备方法可以提高器件性能，具有较高的推广价值。
主权项：1.一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器，其特征在于，该光电探测器从上到下分别为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、表面包覆有少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体，并且在硅纳米柱阵列结构体的背面以及石墨烯透明上电极背面被包覆有少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体覆盖区域的四周上分别设置金属电极；所述聚甲基丙烯酸甲酯PMMA透光保护层旋涂于石墨烯透明上电极的正面，石墨烯透明上电极背面和少层PtSe2直接接触，用于收集光生载流子；硅纳米柱阵列结构体分为两部分，上半部分是周期性密集排列的硅纳米柱形阵列结构，下半部分是未被刻蚀的硅基底，硅纳米柱形阵列结构与硅基底垂直；硅纳米柱阵列结构体的表面通过激光干涉增强诱导气相沉积的方法被少层PtSe2完全包覆，即硅纳米柱的顶部端面以及侧壁都包覆了厚度均匀的少层PtSe2。
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百度查询： 西安工业大学 基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法
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