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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明提供一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法，内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后，包括：对第一增层线路板进行真空烘烤得到第二增层线路板；对第二增层线路板进行第二真空压膜处理及第二整平处理。或者内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后，包括对第一增层线路板进行第三真空压膜处理及第三整平处理，得到第三增层线路板。本发明提出的一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法，能够有效加速ABF膜片中的高沸点溶剂的去除，在预固化后大幅度减小孔口的凹陷。
主权项：1.一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法，其特征在于，内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后，包括：对所述第一增层线路板进行真空烘烤得到第二增层线路板；对所述第二增层线路板进行第二真空压膜处理及第二整平处理；所述真空烘烤包括将所述第一增层线路板置于第三温度下恒温抽至第三真空度，保持第三真空时间，其中，所述第三温度为90℃-120℃，所述第三真空时间为5-60min，所述第三真空度优于10pa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法
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