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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明公开了一种只读存储器的位错失效分析方法，包括：步骤一、将只读存储器的后道金属线层都剥离并使接触孔表面露出。步骤二、在失效模块外选定第一切割区域并进行切割形成列方向延伸的第一凹槽，各行多晶硅条的侧面在第一凹槽的侧面暴露，第一凹槽还将半导体衬底表面暴露。步骤三、在第一凹槽的内侧表面形成第一金属层，第一金属层使各行多晶硅条和半导体衬底都接触并接地。步骤四、进行电压衬度成像并形成第一电压衬度像，第一电压衬度像中，接地的多晶硅条形成亮图像，结构正常的存储单元的漏极接触孔形成暗图像，在失效模块中将漏极接触孔的图像为亮图像的存储单元定位为位错失效位置。本发明能通过电压衬度像快速定位位错失效位置。
主权项：1.一种只读存储器的位错失效分析方法，其特征在于，包括：步骤一、将只读存储器的后道金属线层都剥离并使接触孔的顶部表面露出；步骤二、在失效模块外选定第一切割区域并对所述第一切割区域进行切割形成第一凹槽，所述第一凹槽沿所述只读存储器的存储单元阵列的列方向延伸；由同一行的各所述存储单元的多晶硅栅连接在一起形成多晶硅条，各行多晶硅条的侧面在所述第一凹槽的侧面暴露，所述第一凹槽还将半导体衬底表面暴露；步骤三、在所述第一凹槽的内侧表面形成第一金属层，所述第一金属层使各行所述多晶硅条和所述半导体衬底都接触并接地；步骤四、对所述只读存储器件进行电压衬度成像并形成第一电压衬度像，所述第一电压衬度像中，接地的所述多晶硅条形成亮图像，结构正常的存储单元的漏极接触孔形成暗图像，在所述失效模块中将漏极接触孔的图像为亮图像的存储单元定位为位错失效位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 只读存储器的位错失效分析方法
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