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摘要：本发明涉及一种厚栅介质TDICCD的制作方法，包括：制作一次复合栅介质层，去除场区和地区的氮化硅层并进行场氧化和地氧化；制作溢漏和沟阻；去除一次复合栅介质层；在有源区形成二次复合栅介质层；去除场区和地区的厚氮化硅薄膜；对有源区内无需增透的区域上方的厚氮化硅薄膜进行减薄；去除溢漏和沟阻上方的厚氮化硅薄膜。本发明中，采用二次复合栅介质工艺，将光照区的厚氮化硅被形成孤岛，消除了厚氮化硅应力对芯片制作的影响，并提供了一个薄氮化硅与厚氮化硅的缓冲区，该工艺经过多批次验证，证明该工艺方法稳定、可靠，具有重复性和一致性，直流合格率高，为产品化提供了坚实的工艺基础，具有明显的经济和社会效益。
主权项：1.一种厚栅介质TDICCD的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在硅衬底上制作一次复合栅介质层，所述一次复合栅介质层包括栅氧层和氮化硅层；S2、去除场区的氮化硅层并进行场氧化，去除地区的氮化硅层并进行地氧化；S3、依次制作埋沟、P阱、溢漏和沟阻；S4、去除有源区的一次复合栅介质层；S5、在有源区生长栅氧并淀积厚氮化硅薄膜，形成二次复合栅介质层；S6、去除场区和地区的厚氮化硅薄膜；S7、对有源区内无需增透的区域的厚氮化硅薄膜进行减薄；S8、去除溢漏区域和沟阻区域的厚氮化硅薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种厚栅介质TDICCD的制作方法
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