龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明公开了一种高耐压氮化镓DMOS及其制备方法，其方法包括：在N+GaN衬底上生长硅掺N型氮化镓；在硅掺N型氮化镓外延层上生长P型氮化镓铝；在P型氮化镓铝外延层生长镁掺P型氮化镓；刻蚀N型氮化镓外延层、P型氮化镓铝外延层以及P型氮化镓层；在第一沟槽内生长栅氧；刻蚀第一栅氧层；在第二沟槽内淀积多晶硅；在栅极上生长栅氧；在第二栅氧层上覆盖介质层；刻蚀P型氮化镓层；分别在第三沟槽生长镁掺P+型氮化镓以及硅掺N+型氮化镓；在N+GaN衬底以及P型氮化镓层蒸镀金属膜Al。本发明使用氮化镓材料和trench结构能有效提高DMOS的耐压，采用AlGaNGaN异质结，具有大量的二维电子气以提高电流密度、减小导通电阻。
主权项：1.一种高耐压氮化镓DMOS制备方法，其特征在于，所述高耐压氮化镓DMOS制备方法包括以下步骤：在N+GaN衬底上生长硅掺N型氮化镓，形成N型氮化镓外延层；在所述硅掺N型氮化镓外延层上生长P型氮化镓铝，形成P型氮化镓铝外延层；在所述P型氮化镓铝外延层生长镁掺P型氮化镓，形成P型氮化镓层；刻蚀所述N型氮化镓外延层、所述P型氮化镓铝外延层以及所述P型氮化镓层，形成第一沟槽；在所述第一沟槽内生长栅氧，形成第一栅氧层；刻蚀所述第一栅氧层，形成第二沟槽；在所述第二沟槽内淀积多晶硅，形成栅极；在所述栅极上生长栅氧，形成第二栅氧层；在所述第二栅氧层上覆盖介质层；刻蚀所述P型氮化镓层，形成多个第三沟槽；分别在所述第三沟槽生长镁掺P+型氮化镓以及硅掺N+型氮化镓；在所述N+GaN衬底以及所述P型氮化镓层蒸镀金属膜Al，在预设温度、富N2环境下退火，形成所述高耐压氮化镓DMOS。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 高耐压氮化镓DMOS及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号