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申请/专利权人：钰泰半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种可双向耐压的DMOS器件，包括源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极同时相互耐压。本发明的可双向耐压的DMOS器件，通过一个DMOS器件替代两个串联的MOS器件来作为高功率管使用，对于特定耐压值，Rsp可以做到接近两MOS器件的Rsp之和，实现同样的Ron目标，DMOS器件面积可以缩减将近50%，从而大幅降低成本。
主权项：1.一种可双向耐压的DMOS器件，其特征在于，包括源极、漏极、栅极和衬底电极，当所述衬底电极与所述源极相连时，所述漏极对所述源极耐压；当所述衬底电极与所述漏极相连时，所述源极对所述漏极耐压；当所述衬底电极接地时，所述源极和所述漏极同时相互耐压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 钰泰半导体股份有限公司 可双向耐压的DMOS器件
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