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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种TUBEMIM极板形成方法，属于半导体制造领域。该方提供了一种TUBEMIM极板形成方法，基于TubeMIM结构出发，采用TaN优异高阻材料，形成的板极包括上极板、中间介质层和下极板，其中上极板采用TaNTaTaN三明治结构，替代了传统技术中的TiTiN极板结构，从而改善TubeMIM的填充性能和提高了其电容性能。
主权项：1.一种TUBEMIM极板形成方法，其特征在于，所述方法包括：形成器件之后，进行通孔的刻蚀，所述通孔中形成腔体；在所述腔体中形成TaNTaTaN结构的上极板，所述TaNTaTaN结构包括第一TaN层、第一Ta层和第二TaN层；在所述上极板上方，淀积AL2O3作为中间介质层；在所述中间介质层上方形成TaNTa结构的下极板，所述TaNTa结构包括第三TaN层和第二Ta层；在所述下极板的上方淀积Cu种子层并进行Cu电镀；对所述Cu种子层进行CMP处理到目标厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种TUBE MIM极板形成方法
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