龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种GaAs晶片的EDP腐蚀方法，属于半导体材料技术领域，所述的GaAs晶片的EDP腐蚀方法，包括以下步骤：1将坩埚放入井式炉中，将氢氧化钾平铺于坩埚底部；2将GaAs晶片通过支架放入到坩埚中，继续加入氢氧化钾；3升温至100～180℃，保温至烘干氢氧化钾水分；4升温至380～450℃，保温，融化氢氧化钾，腐蚀GaAs晶片；5降至室温，取出，得到GaAs晶片。本发明采用井式炉作为加热源，并采用程序控温的方式对整片砷化镓进行腐蚀，先快速升温至烘干KOH中的水分，而后缓慢升温融化KOH，在KOH中腐蚀砷化镓晶片，坩埚内部的温场更加均匀，能够防止局部过热导致的碎片。
主权项：1.一种GaAs晶片的EDP腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1将坩埚放入井式炉中，将氢氧化钾平铺于坩埚底部；2将GaAs晶片通过支架放入到坩埚中，继续加入氢氧化钾；3升温至100～180℃，保温至烘干氢氧化钾水分；4升温至380～450℃，保温，融化氢氧化钾，腐蚀GaAs晶片；5降至室温，取出，得到GaAs晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种GaAs晶片的EDP腐蚀方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号