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申请/专利权人：西安理工大学

摘要：本发明公开了一种具有隐埋层的BRT，n‑漂移区上部设有p基区及n+阴极区；n‑漂移区上部的p基区的两侧设有与p基区两侧相接触的隐埋层；在隐埋层上方靠外侧设有p++分流区，两侧的p++分流区上表面铝层与n+阴极区上表面铝层连成阴极K；部分n+阴极区、p基区及部分p++分流区上表面共同设有栅氧化层及多晶硅层的栅极G；阴极K与栅极G之间设有磷硅玻璃层；在n‑漂移区下表面依次设有nFS层、p+阳极区和金属化阳极A；该隐埋层选用N型的掺杂层；或者选用隐埋二氧化硅层。本发明还公开了该种具有隐埋层BRT的制造方法。本发明的BRT，有效抑制了电压折回现象，降低了器件通态压降并提高开关速度，从而降低了能耗。

主权项：1.一种具有隐埋层的BRT的制造方法，该种具有隐埋层的BRT的结构是：以n-漂移区作为衬底，在n-漂移区上部中间位置设置有p基区，在p基区上部中间位置设置有n+阴极区；在n-漂移区上部的p基区的两侧分别设置有与p基区两侧相接触的隐埋层；在隐埋层上方靠外侧设置有p++分流区，两侧的p++分流区上表面的铝层与n+阴极区上表面中间位置的铝层相连构成阴极K；部分n+阴极区、p基区及部分p++分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层，在栅氧化层上表面设置有重掺杂的多晶硅层，该多晶硅层作为栅极G；在阴极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层PSG；在n-漂移区下表面设置有nFS层，在nFS层下表面设置有p+阳极区，在p+阳极区的下表面设置有多层的金属化阳极A；该隐埋层选用N型的掺杂层作为载流子存储层，简称隐埋N型载流子存储层；隐埋N型载流子存储层的浓度是2×1015cm-3～9×1015cm-3，厚度是0.6μm～2μm；隐埋N型载流子存储层与p基区的横向间距偏差Δx是-0.25μm～1.5μm；隐埋N型载流子存储层与p++分流区的纵向间距Δy是0.5μm～2μm，其特征在于，该方法按照以下步骤具体实施：步骤1、选用原始的高阻区熔中照硅单晶抛光片作为n-漂移区，进行预先处理，在处理后的n-漂移区下表面，先采用磷离子注入，退火兼推进，在下表面形成nFS层；步骤2、去掉步骤1处理后的硅片表面的氧化层，采用干氧氧化形成上、下表面的牺牲氧化层；步骤3、对步骤2处理后的硅片上表面进行光刻，形成p基区以及终端场环区的硼离子注入窗口，采用光刻胶掩蔽进行硼离子注入；然后，在下表面也进行硼离子注入，去胶后进行退火兼推进，在硅片上表面形成选择性p基区，使得下表面形成p+阳极区；步骤4、在步骤3处理后的硅片的上表面，通过光刻形成与p基区注入窗口完全相同的n+阴极区的磷离子注入窗口，然后采用光刻胶掩蔽进行磷离子注入，去胶后推进兼退火，形成n+阴极区，实现自对准的N沟道；步骤5、在步骤4处理后的硅片的上表面，通过光刻形成n型隐埋层的离子注入窗口，利用光刻胶掩蔽进行高能磷离子注入，采用倒掺杂工艺形成隐埋N型载流子存储层；步骤6、去掉步骤5处理后的硅片表面的氧化层，重新进行干氧氧化，然后采用化学气相淀积形成多晶硅层，并掺杂；步骤7、在步骤6处理后的硅片上表面进行光刻，去掉多晶硅层并保留栅极氧化层，形成p++分流区的硼离子注入窗口，然后采用光刻胶掩蔽进行硼离子注入，去胶后进行退火，形成p++分流区；步骤8、在步骤7处理后的硅片上表面淀积磷硅玻璃，并回流实现元胞表面平整化；步骤9、在步骤8处理后的硅片的上表面光刻形成阴极接触孔，二次回流，然后上表面淀积金属铝层并反刻，下表面依次溅射铝、钛、镍、银四层金属化膜，经合金化后，上表面形成金属化的阴极K、下表面形成多层金属化阳极A；步骤10、对步骤9处理后的硅片的上表面甩聚酰亚胺膜，通过光刻形成栅极和阴极的压焊区图形，并进行聚酰亚胺固化处理，终端区表面钝化保护，划片，即成。

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