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申请/专利权人：陕西华芯睿熠电子有限公司
摘要：本发明公开了一种基于器件结构的高精度GaNFinHEMT建模方法，包括：根据GaNFinHEMT器件的结构，得到GaNFinHEMT器件的等效电路；等效电路中包含：栅极的寄生电阻Rg与寄生电感Lg、漏极的寄生电阻Rd与寄生电感Ld、源极的寄生电阻Rs与寄生电感Ls、栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、栅源电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、沟道电阻Rds、漏源电容Cds、本征跨导gm和本征栅电容Cg；分别确定Rg、Lg、Rd、Ld、Rs与Ls的值；分别确定Cgs、Cgd、Rgs、Rgd、Rds、Cds、gm和Cg的值，得到GaNFinHEMT器件的电路模型。本发明能够提升电路模型对GaNFinHEMT器件的本征参数非线性特性的表征精度。
主权项：1.一种基于器件结构的高精度GaNFinHEMT建模方法，其特征在于，所述方法包括：根据GaNFinHEMT器件的结构，得到所述GaNFinHEMT器件的等效电路；所述等效电路中包含：栅极的寄生电阻Rg与寄生电感Lg、漏极的寄生电阻Rd与寄生电感Ld、源极的寄生电阻Rs与寄生电感Ls、栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、栅源电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、沟道电阻Rds、漏源电容Cds、本征跨导gm和本征栅电容Cg；分别确定Rg、Lg、Rd、Ld、Rs与Ls的值；分别确定Cgs、Cgd、Rgs、Rgd、Rds、Cds、gm和Cg的值，得到所述GaNFinHEMT器件的电路模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西华芯睿熠电子有限公司 一种基于器件结构的高精度GaN Fin HEMT建模方法
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