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申请/专利权人：普冉半导体(上海)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种ETOX闪存的擦除方法，擦除流程包括：进行预编程流程，包括：选定待擦除区域，将待擦除区域作为待预编程区域。采用隧穿效应对待预编程区域中的所有存储单元同时进行预编程操作；预编程操作中，预编程电压使电子采用FN隧穿方式从阱区穿过隧穿介质层注入到浮栅中。本发明还公开了一种ETOX闪存的擦除装置。本发明能大幅度减少预编程时间，从而提高擦除速度。
主权项：1.一种ETOX闪存的擦除方法，其特征在于，擦除流程包括：进行预编程流程，所述预编程流程包括：选定待擦除区域，将所述待擦除区域作为待预编程区域；采用隧穿效应对所述待预编程区域中的所有存储单元同时进行预编程操作；所述预编程操作中，预编程电压使电子采用FN隧穿方式从所述存储单元的阱区穿过隧穿介质层注入到浮栅中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 普冉半导体(上海)股份有限公司 ETOX闪存的擦除方法和装置
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