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一种泥炭藓的种植方法 

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申请/专利权人:华东师范大学

摘要:本发明公开了一种在水体表面种植泥炭藓的方法,利用开放水面种植泥炭藓,而不占用耕地;同时采用该方法可以避免泥炭藓种植需要特别生态环境的土地的限制因素,扩大泥炭藓的种植地域范围。该方法用到浮板装置,浮板上需要设置隔断提供支撑,使泥炭藓能够向上生长,配合适当的种植方法,可以实现泥炭藓大规模种植。

主权项:1.一种在室外开放水体表面种植泥炭藓的方法,其特征在于,包含如下步骤:1在漂浮培养装置的导水布条上均匀分散一定量干泥炭藓碎片;所述干泥炭藓的厚度为1-8cm;所述干泥炭藓碎片的长度为1-5cm长;所述导水布条在水中的长度2cm;所述装置设置于室外开放水体表面;所述漂浮培养装置采用辅助漂浮材料上面加隔板,隔出若干培养小室,或直接成型的分割成若干培养小室的泡沫盘作为漂浮培养装置;其中,在所述辅助漂浮材料或泡沫盘上含有若干洞;用导水布条从洞中穿过,并贯穿辅助漂浮材料或泡沫盘,使之一端置于水中,一端在所述漂浮培养装置水上部分;所述漂浮培养装置可承载所种泥炭藓的重量漂浮在水面上,装置周围有围挡;所述每个培养小室的边长或直径大小为5-20cm;所述培养小室的深度为8-20cm;所述每个培养小室底部至少有一个孔,孔的直径为0.4-2cm;所述导水布条上均匀分布干泥炭藓碎片;所述干泥炭藓中没有腐败植物体掺杂;泥炭藓种苗以适当的种植密度种到泥炭藓中;2将所述漂浮培养装置放置于具有一定光照条件,酸碱适宜的淡水水体表面;所述一定光照为光源是白光,光强为4000-20000LUX;光周期为昼8-18小时夜16-6小时;所述适宜酸碱度为pH4-6.5;3待所述导水布条充分吸水以后,取泥炭藓种苗,以适当的种植密度种到泥炭藓中,进行生长;所述适当的种植密度是指,接种泥炭藓头部要相互接触布满所述培养小室底部;接种小茎叶体也要相互接触,布满超过底部12面积;当种植地区湿度水分含量小于70%,则在漂浮培养装置表面覆保水膜一段时间;所述一段时间是指30-45天。

全文数据:

权利要求:

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