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申请/专利权人：太原理工大学

摘要：基于原位生长法制备阻变存储器底电极的方法及其应用，属于半导体薄膜器件技术领域，解决阻变材料的擦写速度、重复擦写次数和保持时间等电学特性不稳定的技术问题，包括以下步骤：1、切割钛合金薄板后进行热处理；2、热处理后钛合金薄板表面研磨和抛光；3、采用原位生长法制备TiO2薄膜复合材料；4、复合材料热处理，制得阻变存储器底电极；在此基础上将制得的阻变存储器底电极用于制备阻变存储器。本发明制备工艺流程简单，产品质量可靠，有望用于新型阻变存储器的开发，提高非易失性存储器的电学性能。

主权项：1.基于原位生长法制备阻变存储器底电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、首先切割钛合金薄板，然后将切割后的钛合金薄板进行热处理，热处理工艺为：将钛合金薄板放置于加热炉中，加热温度为650℃，保温时间为2小时，随后关闭加热电源，待钛合金薄板随炉冷却至室温后备用；S2、取出步骤S1热处理后的钛合金薄板进行表面研磨和抛光后备用；S3、采用原位生长法制备薄膜复合材料，包括以下步骤：S3-1、分别配制硝酸、氢氟酸和乙酸酸性溶液，硝酸、氢氟酸和乙酸的质量分数分别为30%、15%和5%，将硝酸、氢氟酸和乙酸酸性溶液混合后加热至40℃；将步骤S2抛光后的钛合金薄板浸入加热后的酸性溶液中静置15min，然后取出并依次用酒精和去离子水超声清洗3分钟，最后用热风吹干备用；S3-2、量取100mL浓度为10molL的KOH溶液加入不锈钢水热反应釜中，然后将步骤S3-1制备的、表面洁净的钛合金薄板斜靠在不锈钢水热反应釜的内壁上；S3-3、将不锈钢水热反应釜密封，放入加热炉中加热至250℃，升温速率为5℃min，在200℃温度条件下保温20小时，随后关闭加热电源，待不锈钢水热反应釜自然冷却至室温，制得在钛合金薄板基体表面原位生长薄膜的复合材料；S4、复合材料热处理，包括以下步骤：S4-1、从不锈钢水热反应釜中取出步骤S3-3水热反应后的复合材料，将复合材料浸泡在浓度为0.5molL的稀硝酸溶液中进行酸洗，最后利用去离子水将复合材料反复冲洗干净；S4-2、将步骤S4-1冲洗干净后的复合材料放置于真空炉中加热至500℃，保温3小时，加热保温过程中持续通入保护气；保温结束后关闭加热电源，随炉冷却至室温，制得阻变存储器底电极。

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