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一种高PPI彩色Micro-LED显示屏及制作方法 

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申请/专利权人:康佳集团股份有限公司

摘要:本发明涉及LED显示屏技术领域,具体涉及一种高PPI彩色Micro‑LED显示屏及制作方法,Micro‑LED显示屏包括:光学玻璃及三层透明的透明膜层,三层所述透明膜层从下至上的层叠设置在所述光学玻璃上,每一层所述透明膜层上均设置有阵列分布的同色像素Micro‑LED芯片,层与层之间的所述Micro‑LED芯片设置为不同色像素的Micro‑LED芯片。在每层的透明膜层上对应设置同色像素Micro‑LED芯片,通过将设置有不同色像素Micro‑LED芯片的透明膜层叠层设置,并粘贴在光学玻璃上,以使Micro‑LED显示屏形成彩色显示且可达到1500以上的高PPI。

主权项:1.一种高PPI彩色Micro-LED显示屏制作方法,其特征在于,包括:光学玻璃及三层透明的透明膜层,三层所述透明膜层从下至上的层叠设置在所述光学玻璃上,每一层所述透明膜层上均设置有阵列分布的同色像素Micro-LED芯片,层与层之间的所述Micro-LED芯片设置为不同色像素的Micro-LED芯片;三层所述Micro-LED芯片分别为绿光像素Micro-LED芯片、蓝光像素Micro-LED芯片及红光像素Micro-LED芯片;其中,设置有所述绿光像素Micro-LED芯片的透明膜层、设置有所述蓝光像素Micro-LED芯片的透明膜层及设置有所述红光像素Micro-LED芯片的透明膜层从下至上的层叠设置在所述光学玻璃上;所述高PPI彩色Micro-LED显示屏制作方法,包括以下制作流程:制作硅集成电路驱动基板,所述硅集成电路驱动基板包括层叠设置的硅电路层及二氧化硅层;将所述硅电路层上的电路引线到所述二氧化硅层上,通过高温氧化法将所述硅电路层的非电路部分进行氧化,生成透明的二氧化硅;使用光学胶将所述硅电路层粘贴到光学玻璃上,通过蚀刻法将所述硅集成电路驱动基板上的硅衬底剥离;在所述硅电路层上制作UBM焊盘;通过巨量转移方式,将绿色像素Micro-LED芯片转移至透明的所述硅集成电路驱动基板上,并进行低温焊接,将所述绿色像素Micro-LED芯片固定在所述硅集成电路驱动基板上;在所述二氧化硅层上设置透明密封胶层,完成所述透明玻璃上绿光像素Micro-LED芯片的所述透明膜层制作;将设置有蓝光像素Micro-LED芯片的透明膜层贴合在设置有绿光像素Micro-LED芯片的所述透明膜层上,将设置有红光像素Micro-LED芯片的透明膜层贴合在设置有蓝光像素Micro-LED芯片的所述透明膜层上。

全文数据:

权利要求:

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