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申请/专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，包括第一芯片、第二芯片、再布线金属层一、高铜柱和再布线金属层二，第一芯片的背面和四周侧面包覆有塑封层一，第二芯片与第一芯片面对面设置，再布线金属层一位于第一芯片与第二芯片之间，再布线金属层一与第二芯片通过金属焊盘和微凸块连接、且间隙处设有填充料，高铜柱分端分别连接再布线金属层一、二，高铜柱和第二芯片被塑封层二包覆。本实用新型用高铜柱穿透塑封料的形式，实现3D晶圆级封装，可减少封装面积和电性能传输路径，采用面对面芯片贴装并通过高铜柱连接，在单位体积内实现更高封装密度，提高走线的可能性和灵活性，降低封装工艺难度，能实现更快的信号传输效率，降低功耗。
主权项：1.一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构，其特征在于，包括：第一芯片1，所述第一芯片1的背面和四周侧面包覆有塑封层一2；第二芯片4，所述第二芯片4倒装于第一芯片1上方，所述第二芯片4与第一芯片1面对面设置；再布线金属层一3，所述再布线金属层一3位于第一芯片1与第二芯片4之间，所述再布线金属层一3的下表面与第一芯片1连接，所述再布线金属层一3的上表面与第二芯片4连接，所述再布线金属层一3与第二芯片4的连接间隙处设有填充料5；高铜柱6，所述高铜柱6的底部连接再布线金属层一3；塑封层二7，所述塑封层二7包裹高铜柱6和第二芯片4，所述高铜柱6的顶部与塑封层二7的上表面齐平。
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百度查询： 江苏芯德半导体科技有限公司 一种高铜柱堆叠的面对面芯片封装结构
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