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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：一种GaN氮化镓管芯包括：第一电流感测端子；第二电流感测端子；主GaN功率晶体管；具有源极的GaN电流感测晶体管，该源极电连接到主GaN功率晶体管的源极；串联电连接在主GaN功率晶体管的漏极与GaN电流感测晶体管的漏极之间的二极管器件；将主GaN功率晶体管的漏极电连接到第一感测端子的第一电压保护器件；以及将GaN电流感测晶体管的漏极电连接到第二感测端子的第二电压保护器件。还描述了一种包括该GaN管芯的电力电子器件。
主权项：1.一种氮化镓GaN管芯，包括：第一电流感测端子；第二电流感测端子；主GaN功率晶体管；GaN电流感测晶体管，具有电连接到所述主GaN功率晶体管的源极的源极；二极管器件，串联电连接在所述主GaN功率晶体管的漏极与所述GaN电流感测晶体管的漏极之间；第一电压保护器件，将所述主GaN功率晶体管的漏极电连接到所述第一感测端子；以及第二电压保护器件，将所述GaN电流感测晶体管的漏极电连接到所述第二感测端子。
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百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯
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