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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请公开了一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。该方法包括：在硅衬底的一面开设凹槽；在硅衬底的一面依次制备隧穿氧化层和本征多晶硅层；在本征多晶硅层上制备第一掺杂氧化硅层；去除位于凹槽外的第一掺杂氧化硅层，露出本征多晶硅层；将位于凹槽内的第一掺杂氧化硅层的掺杂源推进至本征多晶硅层，形成第一掺杂多晶硅层；在位于凹槽外的本征多晶硅层上制备与第一掺杂氧化硅层掺杂类型相反的第二掺杂氧化硅层；将位于凹槽外的第二掺杂氧化硅层的掺杂源推进至本征多晶硅层，形成第二掺杂多晶硅层。该方法无需多步掩膜、印刷浆料，可以缩短工序、降低制备成本，提高生产效率，有助于电池量产的实现。
主权项：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底的一面开设凹槽；在所述硅衬底的一面依次制备隧穿氧化层和本征多晶硅层；在所述本征多晶硅层上制备第一掺杂氧化硅层；去除位于所述凹槽外的所述第一掺杂氧化硅层，露出所述本征多晶硅层；将位于所述凹槽内的所述第一掺杂氧化硅层的掺杂源推进至所述本征多晶硅层，形成第一掺杂多晶硅层；在位于所述凹槽外的所述本征多晶硅层上制备与所述第一掺杂氧化硅层掺杂类型相反的第二掺杂氧化硅层；将位于所述凹槽外的所述第二掺杂氧化硅层的掺杂源推进至所述本征多晶硅层，形成第二掺杂多晶硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
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