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申请/专利权人：成都芯源系统有限公司

摘要：提出了一种倒装芯片封装单元及制作倒装芯片封装单元的封装方法。该倒装芯片封装单元可以包括：集成电路晶片，具有晶片第一表面和与该晶片第一表面相对的晶片第二表面，该晶片第一表面上制作有多个金属柱；绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的基板第二表面，所述集成电路晶片的晶片第一表面朝向该基板第二表面焊接于该绕线基板上；底部填充材料，填充该集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙；以及背面保护膜，直接黏贴于该集成电路晶片的晶片第二表面，该背面保护膜包括一层或多层粘合剂薄膜，其可以与晶片背面贴合良好、经UV光照固化后不易变型、不易脱落，同时兼顾晶片背面保护和晶片散热需求。

主权项：1.一种制作倒装芯片封装单元的封装方法，包括：步骤S1，提供至少包括胶带基层和粘合膜层的粘合胶带，其中所述粘合膜层具有粘合层第一表面和与该粘合层第一表面相对的粘合层第二表面，并且包括一层粘合剂薄膜，其具有可延展性、黏性和UV敏感性，并且不同于塑封材料或环氧树脂；步骤S2，在所述胶带基层上安装中空的支撑框架，使所述粘合膜层被框于支撑框架的中空部分之中；步骤S3，将制作有多个集成电路单元的晶圆安装于所述粘合膜层的粘合层第二表面上，使该晶圆的背面与所述粘合层第二表面粘合，其中该晶圆的正面上针对每个集成电路单元制作有多个金属柱；步骤S4，对所述晶圆行切割，从晶圆的正面沿各集成电路单元的预设好的边界纵向切割直至切入所述胶带基层一设定深度，使各集成电路单元分离，形成多个相互分立的倒装集成电路晶片，每个倒装集成电路晶片的第一表面上制作有所述多个金属柱；步骤S5，透过所述胶带基层对所述粘合膜层进行紫外线UV照射；步骤S6，将每颗倒装集成电路晶片连同粘合于其晶片第二表面的粘合膜层摘起，制得分立的倒装集成电路晶片，所述粘合膜层用作每个倒装集成电路晶片的背面保护膜层，该背面保护膜层上不再制作任何其它材料层、且不用于将该集成电路晶片粘结于基板或PCB板；步骤S7，提供绕线基板，其具有基板第一表面和与该基板第一表面相对的第二表面,将每个倒装集成电路晶片的晶片第一表面朝向所述基板第二表面焊接于该绕线基板上，相邻的两个倒装集成电路晶片之间间隔第一横向距离；步骤S8，在每个倒装集成电路晶片的晶片第一表面与所述基板第二表面之间的间隙注入底部填充材料形成每个倒装集成电路晶片的底部填充材料；以及步骤S9，采用切割工艺将步骤S8之后制得的封装结构分割成多个独立的倒装芯片封装单元，每个倒装芯片封装单元中包括至少一个倒装集成电路晶片。

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