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申请/专利权人：朗姆研究公司

摘要：一种用于蚀刻衬底的方法，其包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对衬底材料进行第一蚀刻。第一蚀刻使特征在材料中形成至第一深度。在第一蚀刻之后，该方法包括在没有从室中去除衬底的情况下，在等离子体室中执行原子层钝化ALP工艺，以在掩模和第一蚀刻期间形成的特征上沉积共形的钝化膜。ALP工艺使用来自液态前体的蒸气以在特征和掩模上形成钝化层。该方法还包括使用等离子体蚀刻工艺在等离子体室中对材料进行第二蚀刻。共形的钝化膜被配置为在第二蚀刻期间保护掩模和特征的侧壁。还描述了等离子体处理系统。

主权项：1.一种在等离子体室中蚀刻衬底的方法，其包括：将所述衬底接收在所述等离子体室内底部电极上方，所述衬底具有待被蚀刻以形成特征的材料，其中掩模被提供在所述衬底上方以限定待被蚀刻的所述特征的位置；使用等离子体蚀刻工艺在所述等离子体室中对所述材料执行第一蚀刻，所述第一蚀刻使用等离子体蚀刻气体以在所述材料中使特征形成至第一深度；以及在所述等离子体室中执行原子层钝化工艺，以在所述掩模和在所述第一蚀刻过程中形成的所述特征上沉积共形的钝化膜，所述原子层钝化工艺包括：a引入包括硅的前体的蒸气至所述等离子体室以用所述前体涂覆所述掩模和所述特征；b在所述掩模和所述特征上的所述前体的蒸气存在的情况下，在所述等离子体室内产生等离子体，用氧气和RF功率产生所述等离子体，所述等离子体固化所述前体以形成单个原子单层，其中所述单个原子单层是共形的钝化膜的第一原子单层；c将包括硅的所述前体的蒸气引入所述等离子体室，以在所述共形的钝化膜的所述第一原子单层上涂覆所述前体；以及d在所述第一原子单层上的所述前体的蒸气存在的情况下，在所述等离子体室内产生等离子体，用所述氧气和RF功率产生所述等离子体，并且所述等离子体固化所述前体以形成单个原子单层，其中所述单个原子单层是所述共形的钝化膜的第二原子单层，其中重复引入所述前体的蒸气和产生所述等离子体，以形成第三或更多个原子单层，直到所述共形的钝化膜达到目标厚度，然后使用所述等离子体蚀刻工艺对所述材料执行第二蚀刻，所述第二蚀刻使用等离子体蚀刻气体以在所述材料中使特征形成至第二深度，所述共形的钝化膜被配置为在所述第二蚀刻期间保护所述特征的侧壁和所述掩模。

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百度查询： 朗姆研究公司 TCP蚀刻室中的集成原子层钝化和原位蚀刻-ALP方法