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申请/专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
摘要：本申请涉及一种VDMOS器件，包括衬底层，设有第一导电柱；设置在衬底层上的外延层，衬底层的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；设置在外延层上的栅极；设置在外延层的源极；外延层在靠近衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，绝缘区与第一导电柱位置相对应，掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，掺杂区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。本申请通过在外延层中设置较高掺杂浓度的掺杂区，可以降低VDMOS器件正向导通时的外延电阻，同时还在衬底层和外延层之间形成MIS结构，使VDMOS器件维持较高的反向击穿电压，能有效提高VDMOS器件的工作性能。
主权项：1.一种VDMOS器件，其特征在于，包括：衬底层，设有第一导电柱，所述第一导电柱的材质为金属；设置在所述衬底层上的外延层，所述衬底层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；设置在所述外延层上的栅极；设置在所述外延层的源极；所述外延层在靠近所述衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，所述绝缘区与所述第一导电柱位置相对应，所述掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述绝缘区位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间；所述衬底层设有第二导电柱，所述第二导电柱与所述掺杂区位置相对应；所述掺杂区、所述绝缘区和所述第一导电柱共同形成MIS结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江清华柔性电子技术研究院 清华大学 VDMOS器件及VDMOS器件的制作方法
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