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申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种D‑BAW空气桥结构及其形成方法，属于体声波滤波器技术领域，所述D‑BAW空气桥结构包括基底、围栏层、下电极、压电层和上电极；所述围栏层、下电极、压电层和上电极依次沉积于基底的一侧；其中，所述下电极的两侧均设有内凹结构。所述下电极靠近压电层一侧表面设置有连续的内凹结构，其中，至少一个所述内凹结构与压电层的一侧表面形成第一空气桥结构。所述压电层靠近压电层一侧表面上设置的内凹结构与压电层靠近围栏层一侧表面的非凹结构的位置对应切尺寸相同，并且，所述内凹结构与所述上电极之间形成第二空气桥结构。
主权项：1.一种D-BAW空气桥结构，其特征在于，所述D-BAW空气桥结构包括基底（18）、围栏层（17）、下电极（15）、压电层（13）和上电极（11）；所述围栏层（17）、下电极（15）、压电层（13）和上电极（11）依次沉积于基底（18）的一侧；其中，所述下电极（15）的两侧均设有内凹结构，并且，所述压电层（13）两侧均设有内凹结构；其中，所述下电极（15）靠近围栏层（17）一侧表面设置有连续的内凹结构；并且，所述下电极（15）靠近压电层（13）一侧表面设置有连续的内凹结构，其中，所述下电极（15）靠近压电层（13）一侧表面设置有连续的内凹结构中的至少一个所述内凹结构与压电层（13）的一侧表面形成第一空气桥结构；其中，所述压电层（13）靠近上电极（11）一侧表面上设置有内凹结构，其中，所述压电层（13）靠近上电极（11）一侧表面上设置的内凹结构与压电层（13）靠近围栏层（17）一侧表面的非凹结构的位置对应且尺寸相同，并且，所述压电层（13）靠近上电极（11）一侧表面上设置的内凹结构与所述上电极（11）之间形成第二空气桥结构。
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权利要求：
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