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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括芯片区和位于芯片区之间的切割道区，所述芯片区表面具有第一测试结构；在所述切割道区形成对准标记和第二测试结构；在晶圆上形成滤光结构材料层；刻蚀所述滤光结构材料层，直至暴露出第一测试结构表面和第二测试结构表面，形成滤光结构；获取所述第二测试结构的电阻值；根据所述电阻值判断所述第一测试结构表面和第二测试结构表面是否有反应残留物；若所述第一测试结构表面和第二测试结构表面有反应残留物，则去除所述反应残留物。所述方法使得半导体结构的良率提升。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括芯片区和位于芯片区之间的切割道区，所述芯片区表面具有第一测试结构；在所述切割道区形成对准标记和第二测试结构；在晶圆上形成滤光结构材料层；刻蚀所述滤光结构材料层，直至暴露出第一测试结构表面和第二测试结构表面，形成滤光结构；获取所述第二测试结构的电阻值；根据所述电阻值判断所述第一测试结构表面和第二测试结构表面是否有反应残留物；若所述第一测试结构表面和第二测试结构表面有反应残留物，则去除所述反应残留物。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
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