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申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司
摘要:本公开涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法,涉及半导体技术领域。所述半导体测试结构包括衬底和多个测试栅极。衬底具有有源区。多个测试栅极沿第一方向间隔排布,且沿第二方向延伸,并沿第二方向横跨有源区。各测试栅极沿第一方向的尺寸互不相同,且均小于有源区沿第一方向的尺寸。第一方向与第二方向正交。上述半导体测试结构可以精准检测交叠区域的尺寸,从而简单便携地检测半导体器件的稳定性。
主权项:1.一种半导体测试结构,其特征在于,包括:衬底,具有有源区;多个测试栅极,沿第一方向间隔排布,且沿第二方向延伸,并沿所述第二方向横跨所述有源区;各所述测试栅极沿所述第一方向的尺寸互不相同,且均小于所述有源区沿所述第一方向的尺寸;所述第一方向与所述第二方向正交。
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百度查询: 上海积塔半导体有限公司 半导体测试结构及半导体测试方法
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