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封装结构及其形成方法、半导体结构 

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申请/专利权人:江苏长电科技股份有限公司

摘要:本发明涉及一种封装结构及其形成方法、半导体结构。所述封装结构包括:第一基板;第二基板,位于所述第一基板上方;封装体,位于所述第一基板与所述第二基板之间,所述封装体包括半导体芯片、功能器件以及位于所述半导体芯片至少一侧的多个第一互联结构,所述第一互联结构电连接所述第一基板与所述第二基板,位于所述半导体芯片同侧的多个所述第一互联结构间隔排布,所述功能器件位于相邻的所述第一互联结构之间的间隙区域内。本发明避免了封装结构在制造过程中出现翘曲等形变,提高了封装结构的集成度。

主权项:1.一种封装结构,其特征在于,包括:第一基板;第二基板,位于所述第一基板上方;封装体,位于所述第一基板与所述第二基板之间,所述封装体包括半导体芯片、功能器件以及位于所述半导体芯片至少一侧的多个第一互联结构,所述第一互联结构电连接所述第一基板与所述第二基板,位于所述半导体芯片同侧的多个所述第一互联结构间隔排布,所述功能器件位于相邻的所述第一互联结构之间的间隙区域内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏长电科技股份有限公司 封装结构及其形成方法、半导体结构

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