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申请/专利权人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体提供一种半导体结构的制备方法,包括:提供半导体衬底层;在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口;在半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层,同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构;在相邻的所述隔离结构之间形成微流道。本发明提供的半导体结构的制备方法能够避免形成槽宽不可控、不均一的问题,提高微流道制程中的湿法扩槽工艺的稳定性;除此之外,隔离结构的形成工艺简单,易于实现。
主权项:1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底层;在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口;在所述半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层,同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构;在相邻的所述隔离结构之间形成微流道。
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