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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种双栅双沟道LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：衬底，形成于衬底上的掩埋层、漂移区、体区、源区和漏区，以及位于体区上表面的栅氧化层和第一栅极；体区与源区及漂移区相接，漂移区与源区及漏区相接，掩埋层位于漂移区的底部，掩埋层与器件本体外的第二栅极相连；体区与栅氧化层及第一栅极组成MOSFE结构，使得体区表面形成第一沟道；体区与漂移区、掩埋层及第二栅极组成JFET结构，使得漂移区表面形成第二沟道。本发明通过双导电沟道的方式，提高击穿电压同时降低器件的比导通电阻，该器件的结构简单，制造工艺复杂度较低且可与CMOS工艺集成。
主权项：1.一种双栅双沟道LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，形成于衬底上的掩埋层、漂移区、体区、源区和漏区，以及位于体区上表面的栅氧化层和第一栅极；所述体区与源区及漂移区相接，所述漂移区与源区及漏区相接，所述掩埋层位于漂移区的底部，所述掩埋层与器件本体外的第二栅极相连；所述体区与栅氧化层及第一栅极组成MOSFET结构，使得体区表面形成第一沟道；所述体区与漂移区、掩埋层及第二栅极组成JFET结构，使得漂移区表面形成第二沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 浙江大学 双栅双沟道LDMOS器件及制造方法
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