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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请属于光刻分析领域，具体公开了一种套刻标记的衍射场仿真、误差测量灵敏度分析方法及设备，衍射场仿真方法包括：结合套刻标记的参数和测量参数数确定入射光经过套刻标记后的出射点位置，所述出射光包括零级衍射光和高级次衍射光中的至少一级衍射光；根据各出射点的位置，结合测量参数获取各出射点的琼斯矩阵；结合各出射点的琼斯矩阵确定各出射点处的出射光电场矢量；根据所述出射光电场矢量获取各出射点的光强。通过本申请，通过套刻标记物镜后焦面衍射光频域图像的不同区域以及测量条件、套刻标记形貌参数等配置参数对套刻信息的灵敏度进行分析，能获得对套刻误差感知灵敏度更高的探测区域，能对测量条件配置组合进行优化。
主权项：1.一种套刻误差的衍射场仿真方法，其特征在于，包括：结合套刻标记的参数和测量参数数确定入射光经过套刻标记后的出射点位置，所述出射光包括零级衍射光和高级次衍射光中的至少一级衍射光；根据各出射点的位置，结合测量参数获取各出射点的琼斯矩阵；结合各出射点的琼斯矩阵确定各出射点处的出射光电场矢量；根据所述出射光电场矢量获取各出射点的光强。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 套刻标记的衍射场仿真、误差测量灵敏度分析方法及设备
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