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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制作方法、套刻精度量测方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：包括衬底，位于衬底上的阵列区，阵列区包括呈阵列分布的器件结构，每个器件结构包括经过刻蚀工艺后形成的多层图案层；位于阵列区外侧的切割道；位于切割道内的光栅结构，光栅结构包括与每一图案层对应的子光栅层，以根据对子光栅层测量得到的套刻精度标准值以及对每一图案层量测得到的实际套刻精度值，确定刻蚀工艺的套刻误差补值。本公开通过在切割道内制备用于对IDM光学量测校准的三维衍射光栅，提升量测精度，实现快速、准确量测。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的阵列区，所述阵列区包括呈阵列分布的器件结构，每个器件结构包括经过刻蚀工艺后形成的多层图案层；位于所述阵列区外侧的切割道；位于切割道内的光栅结构，其中，所述光栅结构包括与每一图案层对应的子光栅层，以根据对所述子光栅层测量得到的套刻精度标准值以及对所述每一图案层量测得到的实际套刻精度值，确定刻蚀工艺的套刻误差补值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其制备方法、套刻精度量测方法
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