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申请/专利权人：极光先进雷射株式会社;国立大学法人九州大学

摘要：一种激光照射方法，对在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物照射脉冲激光，其中，该激光照射方法包含以下步骤：读入照射到被照射物上所设定的矩形的照射区域的脉冲激光的每一个脉冲的注量和照射到照射区域的照射脉冲数，其中，在对被照射物照射照射脉冲数的脉冲激光的情况下，注量为杂质源膜产生烧蚀的阈值以上并且小于半导体基板的表面产生损伤的阈值；在设照射区域沿扫描方向的宽度为Bx、照射脉冲数为Nd、脉冲激光的反复频率为f的情况下，根据用Vdx＝f·BxNd表示的关系式计算扫描速度Vdx；以及以反复频率f对照射区域照射脉冲激光，并使被照射物相对于照射区域相对地以扫描速度Vdx移动。

主权项：1.一种激光照射方法，对在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物照射具有比所述半导体基板的带隙能量大的光子能量的脉冲激光，其中，该杂质源膜至少包含作为掺杂剂的杂质元素，该激光照射方法具有以下步骤：作为激光掺杂用的第1照射条件，读入第1注量和第1照射脉冲数，其中，在对所述被照射物照射所述第1照射脉冲数的所述脉冲激光的情况下，所述第1注量为所述杂质源膜产生烧蚀的阈值以上且小于在所述半导体基板的表面产生损伤的阈值，其中，该第1注量是照射到所述被照射物上所设定的矩形的照射区域的所述脉冲激光的每一个脉冲的注量，该第1照射脉冲数是照射到所述照射区域的2个以上的照射脉冲数；在设所述照射区域沿扫描方向的宽度为Bx、所述第1照射脉冲数为Nd、所述脉冲激光的反复频率为f的情况下，根据下式a计算第1扫描速度Vdx；以及以所述反复频率f对所述照射区域照射所述脉冲激光并使所述被照射物以所述第1扫描速度Vdx相对于所述照射区域相对地移动；Vdx＝f·BxNd…a作为后退火用的第2照射条件，读入第2注量和第2照射脉冲数，其中，在对所述被照射物照射所述第2照射脉冲数的所述脉冲激光的情况下，所述第2注量为能够修复所述半导体基板中的缺陷的注量的阈值以上且小于在所述半导体基板的表面产生损伤的阈值，其中，该第2注量是照射到所述照射区域的脉冲激光的每一个脉冲的注量，该第2照射脉冲数是照射到所述照射区域的2个以上的照射脉冲数；在设所述第2照射脉冲数为Np的情况下，根据下式d计算第2扫描速度Vpx；以及以所述反复频率f对所述照射区域照射所述脉冲激光，并使所述被照射物以所述第2扫描速度Vpx相对于所述照射区域相对地移动，Vpx＝f·BxNp…d并且，在设所述第1注量为Fd、第2注量为Fp的情况下，满足下式iFpFd…i。

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