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申请/专利权人:西安微电子技术研究所
摘要:本发明公开了一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法,对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理,预处理后的晶圆上涂覆光刻胶,涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光;对步骤S1中的晶圆进行显影处理,去除晶圆刻号区域的光刻胶;对步骤S2中的晶圆进行刻蚀,得到刻号清晰的晶圆。本发明对刻号处的晶圆片表面进行特殊曝光处理,使得在后续工艺过程中,刻号处始终保有一定的深宽比,利用光反射定律解决刻号不清的效果远优于现有方法,增强了人工识别晶圆刻号的可行性,最大程度降低了异常率,提高了生产效率。
主权项:1.一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法,其特征在于,具体步骤如下:S1对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理,预处理后的晶圆上涂覆光刻胶,涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光;S2对步骤S1中的晶圆进行显影处理,去除晶圆刻号区域的光刻胶;S3对步骤S2中的晶圆进行刻蚀,得到刻号清晰的晶圆;步骤S1中,曝光时使用全透光光刻版进行;步骤S1中,所述全透光光刻版的正面反面均为普通玻璃,其反面不溅射二氧化铬不透光涂层;步骤S1中,按照光刻视场,仅对晶圆刻号区域从左向右实施曝光;步骤S1中,不透光介质包括钛、氮化钛、钨或铝硅铜。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安微电子技术研究所 一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法
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