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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明公开了一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理，预处理后的晶圆上涂覆光刻胶，涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光；对步骤S1中的晶圆进行显影处理，去除晶圆刻号区域的光刻胶；对步骤S2中的晶圆进行刻蚀，得到刻号清晰的晶圆。本发明对刻号处的晶圆片表面进行特殊曝光处理，使得在后续工艺过程中，刻号处始终保有一定的深宽比，利用光反射定律解决刻号不清的效果远优于现有方法，增强了人工识别晶圆刻号的可行性，最大程度降低了异常率，提高了生产效率。
主权项：1.一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，其特征在于，具体步骤如下：S1对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理，预处理后的晶圆上涂覆光刻胶，涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光；S2对步骤S1中的晶圆进行显影处理，去除晶圆刻号区域的光刻胶；S3对步骤S2中的晶圆进行刻蚀，得到刻号清晰的晶圆；步骤S1中，曝光时使用全透光光刻版进行；步骤S1中，所述全透光光刻版的正面反面均为普通玻璃，其反面不溅射二氧化铬不透光涂层；步骤S1中，按照光刻视场，仅对晶圆刻号区域从左向右实施曝光；步骤S1中，不透光介质包括钛、氮化钛、钨或铝硅铜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法
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